第411章 第四百一十二：晶体培育(第3页)

 周瑜在李明伟感慨的时候，就透过观察玻璃，看着实验室里面一位身影年轻的女性研究员在操作着设备。 

 “设备的主体还是这个石英坩埚，由带射频波的线圈环绕来加热，主要还是我们没有稳定的优秀电流加热器来进行加热。 

 首先将多晶和掺杂物加热到液态，接着将籽晶安置

到刚接触到液面，籽晶是具有和所需晶体相同晶向的小晶体，可由化学气相的技术制造。 

 还有工厂实际生产的话，也可以拿之前生长的单晶重复使用，这就是直拉法。 

 当籽晶从熔融物中慢慢上升时，晶体生长才刚刚开始，籽晶和熔融物间的表面张力致使一层熔融物的薄膜附着到籽晶上然后冷却。 

 在冷却过程中，在熔化的半导体材料的原子定向到籽晶一样的晶体结构，籽晶的定向在生长的晶体中传播。在熔融物中的掺杂原子进入生长的晶体中，生成n型或者p型这两种晶体。 

 您给出的文件当中，国外实验室为了实现均匀掺杂、完美晶体和直径控制，籽晶和坩埚在整个晶体生长过程中以相反的方向旋转，工艺控制需要一套复杂的反馈系统，综合转速、拉速及熔融物温度参数。 

 如果不是软件工程部门和设备研发部门都派来工程师，以及您和其他工程师的帮助，我们根本研发不了这一套复杂的反馈系统。 

 晶体只要是生长的，就不可能是真的完美无缺的，但是在半导体器件中，晶体缺陷会引起有害的漏电流，会导致器件无法正常工作。 

 所以我们还在开发缺陷检测系统。”