第595章 集成电路技术研究(第2页)

 之后就是晶体管核心工艺的研究了，也就是通过氧化、光刻、扩散等，从而来实现器件小型化与稳定性。

 从锗台面晶体管，转向硅平面型晶体管，这样一来就能够让表面钝化减少漏电。

 而这个国内突破有些难，不过前世早就有人想出了办法，那就是用显微镜+紫外灯搭建“土光刻机”，来制造出硅平面型晶体管。

 这个方法在前世1963年的时候，被国内王教授团队突破，一举打破了技术封锁。

 李枭也是把几种方法作为建议，写到了研究报告上。

 除此之外，想要研究出集成电路这还不够，还需要介质隔离技术和金属化与引线键合技术。

 介质隔离技术就是在电路元件外围，形成反向偏置的p-n结，它的作用就是阻断电流横向扩散，这样就能解决集成电路中，相邻的元件短路难题。

 而这一项技术到了后世，也是经过了数代的演化。

 最开始是p-n结隔离技术，等到60年代后期又变成了氧化硅介质隔离技术，再往后就是浅沟槽隔离。

 这个就要等到80年代去了。

 等到00年以后，三维隔离法也会出现，李枭拿出的就是p-n结隔离技术，和二氧化硅介质隔离技术，两种研究的方向。

 不过也只是研究的方向，其中只涉及了一些理论，但具体该如何施行，这个就要靠团队一起研究了。

 金属化与引线键合技术，最初版本还是比较简单的，就是热压键合。

 所谓的热压键合就是通过加热加压将金丝连接至芯片焊盘，这个很简单，以国内现在的技术也制造的出来。

 而60年代以后的技术就是键合技术，键合技术又分为两种，一种是球键合，另一种是楔形键合，这两种技术也是60年代工艺化标准技术。

 这一用就是30年，等到90年代这才又一次取得了突破。

 只有先把这些搞懂，才能制造出简单的集成电路，当然复杂的集成电路就要上设备了，就比如制扩散炉、光刻机、镀膜设备。

 这些就不着急了，像是光刻机，1960年首台才被制造出来，镀膜设备也要等到60年代，至于制扩散炉虽然现在已及出现，但存在掺杂不均匀问题，想要解决至少要等到80年代以后去了。

 现在的常压闭管扩散炉也算是够用，制造出来的集成电路，足够组装第三代计算机。

 至于其它的一些设备，这个李枭也需要好好研究研究，他打算等到计算机研究所，先研究完基础材料，然后在研究这些设备，到时候也不迟。