第224章 国际通信技术封锁下的突破(第2页)

但在氢氟酸腐蚀环节，硅片边缘出现崩裂。老吴盯着显微镜下的残片，突然发现国产石英玻璃的热膨胀系数比进口货高 20%，导致腐蚀过程中应力集中。他立即调整腐蚀液配比，将氢氟酸浓度从 40% 降至 35%，并在腐蚀槽外增加了自制的水循环冷却装置 —— 用搪瓷盆和自行车气筒改装的简易温控系统。

三、坐标纸上的电路革命

当手工刻制的掩膜版连续 7 次在曝光中出现位移，团队不得不重新思考电路布局。老吴提出 “模块化集成” 理念，将原本需要 100 个元件的高频放大电路，简化为 28 个单元，通过三维堆叠的方式减少平面布局压力。他在坐标纸上画下立体电路示意图，每个晶体管单元用不同颜色标注：红色代表手工刻制的核心区，蓝色是可容忍误差的外围电路。

“就像在有限的土地上盖高楼。” 老吴向团队解释。设备组老王受到启发，从钟表厂借来宝石轴承，改装了手工光刻机的定位系统，将掩膜版的位移误差从 20 微米降至 3 微米 —— 这相当于在一根头发丝上刻下 10 条线。当第 18 版硅片放入探针台，示波器上首次出现稳定的高频信号放大波形，实验室里响起压抑的欢呼。

四、酒精灯旁的参数战争

4 月，芯片进入离子注入环节，这是决定晶体管性能的关键步骤。老吴团队没有进口的离子加速器，只能用改装的电子管收音机变压器产生高压，通过针状电极向硅片 “注入” 载流子。小李在调试中发现，注入深度波动达 15%，导致晶体管的放大倍数差异超过 50%。

“得给离子找个‘向导’。” 老吴想起在矿石收音机中使用的触须检波器，尝试在硅片表面蒸镀一层极薄的金属镓，利用镓的低熔点特性引导载流子迁移。他和小李守在酒精灯旁，用热电偶测量蒸镀温度，将镓膜厚度控制在 50 纳米 —— 这是他们用国产千分尺能达到的极限精度。经过 39 次试验，当注入深度误差缩小至 3%，老吴发现小李的防护手套已被酸液腐蚀出多个破洞。

五、净化间里的昼夜坚守

最艰难的考验来自环境控制。临时净化间的灰尘含量超标 10 倍，每次光刻都会在硅片上留下杂质斑点。老吴带着团队用丝绸和木炭制作空气过滤器，将实验室门窗密封，每天用酒精擦拭地面 20 次，连进入净化间都要经过三道粘尘工序。技术员大刘为此创作了 “净化间守则”：“一换鞋，二更衣，三擦手，四屏息，五轻放”，用毛笔写在红纸上贴在门口。

5 月的某个深夜，老吴在显微镜下发现硅片表面有个 0.1 毫米的划痕，这可能导致整个芯片失效。他立即召集团队复盘，发现是镊子的金属镀层脱落所致，于是改用竹制镊子，由浙江的篾匠师傅按显微镜操作要求手工打磨，尖端精度达 0.01 毫米 —— 这是传统手工艺与现代科技的奇妙结合。