第134章 首次测试(第2页)

 谭局和张局亲自坐镇，身边围着军工系统的几位专家； 

 秦大爷公司的芯片工程师通过视频连线，实时观察测试过程，屏幕上显示着详细的设计参数。 

 秦寿穿着无尘服，站在光刻机控制台前，手指在键盘上飞快敲击。 

 屏幕上的参数不断跳动：光刻波长 193nm，曝光次数 3 次（三重曝光技术）， 

 晶圆转速 600 转 / 分钟，温度控制在 23.5c±0.1c，湿度 45%±5%。.兰′兰\文+学, \庚￠欣+醉-全! 

 这台 “秦氏 1 号” 光刻机，是秦寿团队五天来的心血。 

 他们绕开了 AsmL 的 euv 专利，用 duv 三重曝光技术实现 7nm 制程， 

 还自研了碳化硅镜头、高纯度光刻胶和金属靶材，每一个部件都凝聚着团队的汗水。 

 “第一步，晶圆清洗。” 秦寿下令。 

 操作员将硅晶圆送入清洗机，先用氢氟酸去除表面的氧化层，再用超纯水冲洗，最后用氮气吹干。 

 夏听雪站在旁边，紧盯着屏幕上的清洗进度，轻声汇报：“晶圆清洗完成，表面杂质含量低于 10?12，合格。” 

 “第二步，涂胶。” 

 机械臂将清洗后的硅晶圆送入涂胶机，均匀地涂上一层自研的光刻胶。 

 这种光刻胶是秦寿团队与国内高校合作研发的，灵敏度比进口产品高 20%，成本却低 30%。 

 涂胶完成后，晶圆被送入预热炉，在 90c的温度下烘烤 30 秒，让光刻胶固化。 

 “涂胶厚度 50nm，均匀度 99.8%，合格。” 夏听雪的声音带着一丝不易察觉的颤抖。 

 “第三步，光刻。” 

 秦寿深吸一口气，按下了启动按钮。 

 光刻机的镜头缓缓降下，对准硅晶圆。 

 193nm 的深紫外光透过掩模版（上面刻着芯片的电路图案），精准地投射到光刻胶上。 

 这是最关键的一步，三重曝光技术需要将图案分三次投射到光刻胶上。 

 每次曝光的位置必须精准对齐，误差不能超过 0.1nm，相当于头发丝首径的 1/1000000。 

 整个车间鸦雀无声，只有光刻机运转的细微声响。 

 所有人的目光都集中在屏幕上，第一次曝光完成，图案成像清晰，没有任何偏差；