第134章 首次测试(第3页)

 第二次曝光，对齐精度完美； 

 第三次曝光，当最后一道光投射到晶圆上时，谭局忍不住低喝一声：“好！” 

 张局虽然不懂技术，但通过大家的表情，也能判断出，实验顺利。 

 他激动得拍了下手：“成了！这就成了？” 

 “还没到高兴的时候。” 秦寿冷静地说：“接下来是显影、蚀刻、离子注入，每一步都不能出错。” 

 显影环节很顺利，晶圆被送入显影机，未被曝光的光刻胶被显影液溶解，露出下方的硅衬底，形成清晰的电路图案。 

 但就在进入蚀刻环节时，意外突然发生了。 

 “秦工，蚀刻机的等离子体密度异常！” 

 操作员突然喊道，屏幕上的等离子体密度曲线突然下降，从正常的 1011cm?3 降到了 10?cm?3。 

 秦寿心里一紧，蚀刻是将光刻胶上的图案 “刻” 到硅晶圆上，等离子体密度不足，会导致蚀刻不彻底，图案边缘模糊。 

 他快步走到蚀刻机前，打开控制面板，检查各项参数：“射频电源功率多少？气体流量正常吗？” 

 “射频电源功率没问题，气体流量也正常，就是等离子体激发不起来！” 操作员急得满头大汗。 

 秦寿盯着屏幕，突然想起了什么：“昨天换的气体管道，是不是没拧紧？等离子体可能从接口处泄漏了！” 

 黄苹果立刻找来工具，爬到蚀刻机顶部，检查气体管道接口。 

 果然，有一个接口的密封垫老化，导致等离子体泄漏。 

 她用备用密封垫重新安装，拧紧螺栓，然后对秦寿点头：“老板，修好了！” 

 小保镖为了老板也是拼了，不但干着保镖的活，还把所有别人不愿干的事都包揽了。 

 “重新启动蚀刻机。” 

 等离子体密度很快恢复正常，蚀刻顺利进行。 

 接下来是离子注入，用硼离子轰击晶圆，改变硅的导电类型，形成晶体管的源极和漏极。 

 这一步需要精准控制离子能量和剂量，秦寿亲自操作，将离子能量设定为 50kev，剂量设定为 101?cm?2。